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Infineon Technologies IPP084N06L3GXKSA1
| Artikelnummer: | IPP084N06L3GXKSA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 500+ | $1.0051 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Infineon Technologies IPP084N06L3GXKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPP084N06L3GXKSA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 34µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 50A, 10V Verlustleistung (max) 79W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) Grundproduktnummer IPP084 IPP084N06L3GXKSA1 Einzelheiten PDF [English] IPP084N06L3GXKSA1 PDF - EN.pdf -
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